SI3493BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI3493BDV-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.96 |
10+ | $0.846 |
100+ | $0.6487 |
500+ | $0.5128 |
1000+ | $0.4103 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5mOhm @ 7A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1805 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.5 nC @ 5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI3493 |
SI3493BDV-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI3493BDV-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
PSE POWER MANAGEMENT IC
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
VISHAY SOT23-6
VISHAY TSOP-6
VISHAY SOT23-6
POWER MANAGEMENT IC
MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP
MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
VISHAY SOT23-6
VISHAY SOT23-6
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI3493BDV-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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